Physical properties of heavily boron doped silicon
1 : Institut Néel
(IN)
Centre National de la Recherche Scientifique
2 : Laboratoire de Transport Electronique Quantique et Supraconductivité
(LATeQS)
Commissariat à l'Energie Atomique : INAC/SPSMS, Université J. Fourier
3 : Institut Néel
(IN)
Centre National de la Recherche Scientifique
4 : Institut de Physique Expérimentale
(IPE)
5 : Institut d'Electronique Fondamentale
(IEF)
Université Paris-Sud : UP-Sud, Centre National de la Recherche Scientifique : UMR8622
6 : Institut des Nanotechnologies de Lyon, CNRS and INSA Lyon, Villeurbanne, France
(INL)
Institut National des Sciences Appliquées, Centre National de la Recherche Scientifique : UMR5270
7 : Institut des Nanotechnologies de Lyon, CNRS and INSA Lyon, Villeurbanne, France
(INL)
Institut National des Sciences Appliquées, Centre National de la Recherche Scientifique : UMR5270
| Subject : | : | poster |
| Topics | : | SFP2011-6 New quantum states of Matter |
| Keywords | : | heavily boron doped silicon |
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