Actes du Congrès SFP Bordeaux 2011 > Contributions (classées par auteur) > Grockowiak Audrey

Physical properties of heavily boron doped silicon
Audrey Grockowiak  1@  , Christophe Marcenat  2@  , Thierry Klein  3@  , Jozef Kacmarcik  4@  , Dominique Debarre  5@  , Gilles Prudon  6@  , Christiane Dubois  7@  
1 : Institut Néel  (IN)
Centre National de la Recherche Scientifique
2 : Laboratoire de Transport Electronique Quantique et Supraconductivité  (LATeQS)
Commissariat à l'Energie Atomique : INAC/SPSMS, Université J. Fourier
3 : Institut Néel  (IN)
Centre National de la Recherche Scientifique
4 : Institut de Physique Expérimentale  (IPE)
5 : Institut d'Electronique Fondamentale  (IEF)
Université Paris-Sud : UP-Sud, Centre National de la Recherche Scientifique : UMR8622
6 : Institut des Nanotechnologies de Lyon, CNRS and INSA Lyon, Villeurbanne, France  (INL)
Institut National des Sciences Appliquées, Centre National de la Recherche Scientifique : UMR5270
7 : Institut des Nanotechnologies de Lyon, CNRS and INSA Lyon, Villeurbanne, France  (INL)
Institut National des Sciences Appliquées, Centre National de la Recherche Scientifique : UMR5270

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